“Yarimo‘tkazgichlar fizikasi” laboratoriyasi

Laboratoriya yangiliklari

Laboratoriya xodimlari


1.Zaynabiddinov S.Z.
ЎзР ФА академиги, профессор
2.Raxmatov A.Z.
professor
3.Xamidjanov I.X.f.-m.f.n.
4.Xaitbayev A.X.professor
5.Utemuratova A.B.f.-m.f.n.
6.Алиқулов Б.Ш
7.Norqulov Sh.B.

Ilmiy loyihalar


1. IL-652207792 “Har xil chuqur sathli yarimo‘tkazgichlarning optik, sig‘imli va rezonansli tahlili asosida yuqori samaradorlikka va parametrlari barqarorlikka ega bo‘lgan kremniy tuzilmalarini yaratish”.

Laboratoriyaning ilmiy yo‘nalishlari


- Monokristall kremniy va boshqa yarimo‘tkazgichli materiallar yuzasi hamda hajmida issiqlik va radiatsiyaviy nuqsonlarning hosil bo‘lish jarayonlarini eksperimental tadqiq qilish;
- Kirishma kiritilgan kremniyda nuqson markazlarining hosil bo‘lish jarayonlarini o‘rganish hamda kirishma atomlari va turli tashqi omillar ta’sirida monokristall kremniyning nuqsonli tuzilishining hosil bo‘lish va rivojlanish mexanizmlarini aniqlash;
-Kristall panjara nuqsonlari bilan kirishma komponentlar atomlarining o‘zaro ta’siri va turli tashqi va ichki omillar ta’sirida kirishma-nuqson assosiatsiyalari bilan monokristalli kremniyda nuqson hosil bo‘lish jarayonlarini o‘rganish;
- Doimiy kuchlanish va o‘zgarmas sig‘im rejimida ishlaydigan qurilmalarni chuqur sathlarning stasionar bo‘lmagan sig‘imli spektroskopiyasi DLTS asosida tahlil qilish;
- Nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallarning fotoo‘tkazuvchanlik spektrlarini eksperimental o‘rganish va diskret energiya darajalarini aniqlash;
- Kompozitsion material asosida diodli konstruksiyalarni yaratish imkoniyatlarini o‘ranish;

Asosiy ilmiy natijalar


-O‘tuvchi elementlar (Pt,Cr) bilan legirlangan va turli xil radiatsiya bilan nurlantirilgan kremniyning elektrofizik xossalari birinchi marta kompleks tadqiq qilindi, nurlantirishlar natijasida kremniyda chuqur sathlarga ega bir nechta radiatsion nuqsonlar hosil bo‘lishi aniqlandi.
-n-Si va n-Si Pt Pt namunalari gamma kvantlari 60Co bilan nurlantirishdan so‘ng EC-0.17 eV va EC-0.43 eV energiya ionizatsiyalariga ega yangi chuqur sathlar aniqlandi. Ushbu chuqur sathlar parametrlari radiatsion nuqsonlar – kompleks vakansiya kislorod (A-markazlar) va kompleks vakansiya -fosfor (E-markazlar) tegishliligi aniqlandi.
-O‘tuvchi elementlar kiritilgan “kislorodli” n-Si namunalarda A-markazlarning konsentratsiyasi “kislorodsiz” namanulardagi A-markazlarga nisbatan deyarli ikki barobar ko‘p, E-markazlar esa umuman hosil bo‘lmasligi aniqlandi.
-Pt va Cr atomlarining kremniyga kiritilishi radiatsion nuqsonlar hosil bo‘lish effektivligini 2-3 marta sekinlashtirishi va kremniy parametrlarini stabillashtirishi o‘rganildi. Nodir yer elementlarining elektroneytral kirishmalari n-Si hajmiga kiritilishi radiatsion nuqsonlar hosil bo‘lish tezligini legirlanmagan kremniy namunalariga nisbatan yanada sekinlashtirishi(5-6 marta) aniqlandi.
-Katta dozalarda(F=8*1018 kv/sm2) γ−nurlantirish Si dagi platina atomlariga tegishli bo‘lgan EC-0.25 eV sath konsentratsiyasining ortishiga olib kelishi aniqlandi. Platina atomlariga tegishli chuqur sath konsentratsiyasi nurlantirish dozasi oshishi bilan ortishi neytral holatdagi Pt atomlarining nurlantirishdan so‘ng aktivlashishi bilan bog‘liqligi taxmin qilindi.
- Si Cr va Si Pt na’munalarni proton zarrachalari bilan nurlantirish ta’sirida kremniyning kristallik tuzilishi buzilishiga olib kelishi aniqlandi.